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MJE5852	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh−voltage,high−speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.TheyareparticularlysuitedforlineoperatedSWITCHMODEapplications. Features •SwitchingRegulators •Inverters •Solenoidan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852	文件：71.64 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE5852ismanufacturedusingHighVoltagePNPMulti-Epitaxialtechnologyforhighswitchingspeedandhighvoltagecapability.Itisintendedforuseinhighfrequencyandefficiencyconverters,switchingregulatorsandmotorcontrol. ■STMicroelectronicsPREFERRED SAL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE5852	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPNPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE5852	文件：56.88 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■PNPTRANSISTOR ■HIGHVOLTAGECAPABILITY APPLICATIONS: ■SWITCHINGREGULATORS ■MOTORCONTROL ■INVERTERS DESCRIPTION TheMJE5852ismanufacturedusingHigh VoltagePNPMulti-Epitaxialtechnologyforhigh switchingspeedandhighvoltagec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE5852G	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852G	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFD5852NL	文件：129.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.9mohm,44A,DualN.ChannelLogicLevel,DualSO.8FL PowerMOSFET 40V,6.9m,44A,DualN−ChannelLogicLevel,DualSO−8FL Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesigns •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFD5852NLWF−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCap	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFD5852NL	文件：84 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFD5852NLWF	文件：129.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.9mohm,44A,DualN.ChannelLogicLevel,DualSO.8FL PowerMOSFET 40V,6.9m,44A,DualN−ChannelLogicLevel,DualSO−8FL Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesigns •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFD5852NLWF−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCap	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
ISO5852SEVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
包装：
盒
类型：
电源管理
功能：
栅极驱动器
使用的 IC/零件：
ISO5852S
主要属性：
隔离
所含物品：
板
描述：
EVAL BOARD FOR ISO5852S

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