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ISL9V3040D3ST-F085C分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
ISL9V3040D3ST-F085C |
参数属性 | ISL9V3040D3ST-F085C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252 |
功能描述 | EcoSPARK Ignition IGBT |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
3.12145 Mbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-11 13:00:00 |
人工找货 | ISL9V3040D3ST-F085C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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ISL9V3040D3ST-F085C规格书详情
ISL9V3040D3ST-F085C属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由安森美半导体制造生产的ISL9V3040D3ST-F085C晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
ISL9V3040D3ST-F085C
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
EcoSPARK®
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.6V @ 4V,6A
- 输入类型:
逻辑
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/4µs
- 测试条件:
300V,1000 欧姆,5V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
D-PAK(TO-252)
- 描述:
ECOSPARK1 IGN-IGBT TO252
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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