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MMBT9014	文件：130.68 Kbytes Page：3 Pages	PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL&LOWNOISE	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT9014	文件：965.24 Kbytes Page：4 Pages	PRE-AMPLIFIER,LOWLEVEL,LOWNOISE	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
MMBT9014	文件：752.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBT9014B	文件：752.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBT9014C	文件：752.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBT9014D	文件：752.28 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
MMBT9014W	文件：588.18 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoMMBT9015W SmallSurfaceMountPackage	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT9014	文件：1.79417 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT9014DW	文件：1.92853 Mbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT9015) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching DW	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMS9014-H	文件：340.4 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
ISL9014IRMNZ-T
功能描述：
IC REG LDO 3V/3.3V .3A 10-DFN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - 线性
系列：
-
标准包装：
2,000
稳压器拓扑结构：
正，可调式
输出电压：
1.2 V ~ 5 V
输入电压：
2.5 V ~ 7 V 电压 -
压降（标准）：
0.24V @ 800mA
稳压器数量：
1 电流 -
输出：
800mA 电流 -
限制（最小）：
1.2A
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-261-5，TO-261AB
供应商设备封装：
SOT-223-5
包装：
带卷(TR)
其它名称：
*LP3964EMPX-ADJLP3964EMPX-ADJLP3964EMPX-ADJ-NDLP3964EMPX-ADJ/NOPBTR

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更多ISL9014IRMNZ-T供应商更新时间2025-5-24 10:07:00

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