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ISL8206MIRZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：15-PowerBQFN 模块；包装：卷带（TR）类别：电源 - 板安装直流转换器描述：DC DC CONVERTER 0.6-6V	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
LGB8206ARI	文件：443.73 Kbytes Page：9 Pages	350V,20AN-ChannelIgnitionIGBT Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDinductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrentswitchingisrequired. Features •Integrated	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
LGB8206ATI	文件：443.73 Kbytes Page：9 Pages	350V,20AN-ChannelIgnitionIGBT Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDinductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrentswitchingisrequired. Features •Integrated	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
LV8206T	文件：302.06 Kbytes Page：14 Pages	CDandMDSystemMotorDriver	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MOC8206	文件：295.71 Kbytes Page：6 Pages	6-PinDIPOptoisolatorsHighVoltageTransistorOutput(400Volts) TheMOC8204,MOC8205andMOC8206devicesconsistofgalliumarsenideinfraredemittingdiodesopticallycoupledtohighvoltage,silicon,phototransistordetectorsinastandard6–pinDIPpackage.Theyaredesignedforhighvoltageapplicationsandareparticularlyusefulincopymachinesandsol	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NGB8206AN	文件：257.68 Kbytes Page：8 Pages	Gate?묮mitterESDProtection Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver−Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrents	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGB8206AN	文件：130.3 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N.ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8206N	文件：118.17 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8206NG	文件：129.57 Kbytes Page：9 Pages	IgnitionIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8206NG	文件：118.17 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,350V,N?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
ISL8206MIRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
包装：
卷带（TR）
类型：
非隔离 PoL 模块
电压 - 输入（最小值）：
1V
电压 - 输入（最大值）：
20V
电压 - 输出 1：
0.6 ~ 6V
电流 - 输出（最大值）：
6A
应用：
ITE（商业）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
效率：
95%
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
15-PowerBQFN 模块
大小 / 尺寸：
0.59" 长 x 0.59" 宽 x 0.14" 高（15.0mm x 15.0mm x
描述：
DC DC CONVERTER 0.6-6V

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