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ISL6613ECBZ-T

丝印:6613ECBZ;Package:8LdEPSOIC;Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features

文件:601.58 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

ISL6613ECBZ-T(Notes1,2)

Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features

The ISL6612 and ISL6613 are high frequency MOSFET drivers specifically designed to drive upper and lower power N-Channel MOSFETs in a synchronous rectified buck converter topology. These drivers combined with HIP63xx or ISL65xx Multi-Phase Buck PWM controllers and N-Channel MOSFETs form compl

文件:363.27 Kbytes 页数:12 Pages

Intersil

ISL6613ECBZ-T

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

ISL6613ECBZ-TR5214

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

产品属性

  • 产品编号:

    ISL6613ECBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多ISL6613ECBZ-T供应商 更新时间2025-10-9 14:00:00