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ISL6613ECBZ-T	文件：601.58 Kbytes Page：12 Pages	丝印：6613ECBZ；Package：8LdEPSOIC；Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features 文件：601.58 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL6613ECBZ-T(Notes1,2)	文件：363.27 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features The ISL6612 and ISL6613 are high frequency MOSFET drivers specifically designed to drive upper and lower power N-Channel MOSFETs in a synchronous rectified buck converter topology. These drivers combined with HIP63xx or ISL65xx Multi-Phase Buck PWM controllers and N-Channel MOSFETs form compl 文件：363.27 Kbytes 页数：12 Pages	INTERSIL	INTERSIL
ISL6613ECBZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
ISL6613ECBZ-TR5214	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
ISL6613ECBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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