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ISL6613EIBZ中文资料Alldatasheet PDF

ISL6613EIB功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端输入类型:非反相延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

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ISL6613EIBZ功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127

ISL6613EIBZ-T功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:6,000 系列:*

产品属性

产品编号：
ISL6613EIB
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC