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深圳市盈慧通电子有限公司

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Intersil8SOICEP

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Intersil8-SOIC0.1543.90mm

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深圳市安富世纪电子有限公司

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ISL6613ECB

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ISL6613ECB-T功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

ISL6613ECBZ功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

ISL6613ECBZR5214功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

产品属性

  • 产品编号：

    ISL6613ECB

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 驱动配置：

    半桥

  • 通道类型：

    同步

  • 栅极类型：

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    10.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 输入类型：

    非反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作温度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘

  • 供应商器件封装：

    8-SOIC-EP

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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