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ISL6612AECBZ-T集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

ISL6612AECBZ-T
厂商型号

ISL6612AECBZ-T

参数属性

ISL6612AECBZ-T 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

丝印标识

6612AECBZ

封装外壳

8LdEPSOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

文件大小

600.23 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 9:48:00

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产品属性

  • 产品编号:

    ISL6612AECBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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