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PJS6602-AU	文件：518.65 Kbytes Page：9 Pages	20VComplementaryEnhancementModeMOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
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PT6602	文件：242.23 Kbytes Page：5 Pages	9AMPADJUSTABLEINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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SPC6602	文件：265.71 Kbytes Page：11 Pages	N&PPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. SYNC POWER Crop.	SYNC-POWER
STC6602	文件：873.18 Kbytes Page：8 Pages	DualN&PChannelEnhancementModeMOSFET	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
STC6602	文件：613.71 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6602	文件：613.8 Kbytes Page：9 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6602	文件：3.00364 Mbytes Page：7 Pages	N-Ch:3.3A,30V,RDS(ON)65mP-Ch:-2.3A,-30V,RDS(ON)120mN&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
TPC6602	文件：157.81 Kbytes Page：5 Pages	High-SpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：134.27 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATRANSISTORSILICONPNPEPITAXIALTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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更多ISL6602BCR供应商更新时间2024-5-16 14:23:00

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