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ISL6594DCBZ	文件：299.64 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features The ISL6594D is high frequency MOSFET driver specifically designed to drive upper and lower power N-Channel MOSFETs in a synchronous rectified buck converter topology. This driver combined with the ISL6594D Digital Multi-Phase Buck PWM controller and N-Channel MOSFETs forms a complete core-vo 文件：299.64 Kbytes 页数：11 Pages	Intersil	Intersil
ISL6594DCBZ	文件：639.15 Kbytes Page：11 Pages	丝印：6594DCBZ；Package：8LdSOIC；Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features 文件：639.15 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL6594DCBZ	文件：264.29 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features 文件：264.29 Kbytes 页数：11 Pages	Intersil	Intersil
ISL6594DCBZ-T	文件：299.64 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features The ISL6594D is high frequency MOSFET driver specifically designed to drive upper and lower power N-Channel MOSFETs in a synchronous rectified buck converter topology. This driver combined with the ISL6594D Digital Multi-Phase Buck PWM controller and N-Channel MOSFETs forms a complete core-vo 文件：299.64 Kbytes 页数：11 Pages	Intersil	Intersil
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ISL6594DCBZ-T	文件：639.15 Kbytes Page：11 Pages	丝印：6594DCBZ；Package：8LdSOIC；Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features 文件：639.15 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL6594DCBZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
ISL6594DCBZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
ISL6594DCBZ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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