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ISL6613AEIBZ-T	文件：325.58 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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ISL6613AEIBZ-T	文件：600.23 Kbytes Page：12 Pages	Marking：6613AEIBZ；Package：8LdEPSOIC；Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6613AEIBZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
ISL6613AEIBZ-T(Note1)	文件：305.95 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP TheISL6612AandISL6613AarehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcom	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6613AIB	文件：266.29 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6613AIB	文件：325.58 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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产品属性

产品编号：
ISL6613AEIBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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