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MMBT6520L	文件：141.52 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-350V(Min) ·HighDCCurrentGain- :hFE=30(Min)@(VCE=-10V,IC=-10mA) ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.5V(Max)@(IC=-30mA,IB=-3mA) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

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产品属性

产品编号：
ISL6520CBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
卷带（TR）
输出类型：
晶体管驱动器
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出阶段：
1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
4.5V ~ 5.5V
频率 - 开关：
300kHz
占空比（最大）：
100%
同步整流器：
是
时钟同步：
无
控制特性：
相位控制
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC REG CTRLR BUCK 8SOIC

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更多ISL6520CBZ-T供应商更新时间2025-7-16 15:00:00

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