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MSN6504Z	文件：726.8 Kbytes Page：5 Pages	650V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
N6504NZ	文件：303.85 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,5.5A,2.1 Description TheN6504NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=2.1MAX.(VGS=10V,ID=2.75A) Lowinputcapacitance Ciss=950pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±5.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6504	文件：95.32 Kbytes Page：4 Pages	1550nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFORFIBEROPTICCOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6504	文件：336.5 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1550nmFOR156Mb/s,622Mb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6504Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW)structured DistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.This deviceisidealforSynchronousDigitalHierarchy(SDH)system,STM-1,STM-	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6504GH	文件：95.32 Kbytes Page：4 Pages	1550nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFORFIBEROPTICCOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
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产品属性

产品编号：
ISL6504CR-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 电源控制器，监视器
包装：
管件
应用：
电源控制器/监控器
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
20-QFN（6x6）
描述：
IC MULTIPLE POWER CTRLR 20-QFN

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