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IS93C46D-2PLI	文件：547.72 Kbytes Page：16 Pages	1-KBIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46D is a 1Kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46D contains power-efficient read/write memory, and organization of 128 bytes of 8 bits or 64 words of 16 bits. When the ORG pin is connected to Vcc or left u 文件：547.72 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS93C46D-2DLI	文件：547.72 Kbytes Page：16 Pages	1-KBIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46D is a 1Kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46D contains power-efficient read/write memory, and organization of 128 bytes of 8 bits or 64 words of 16 bits. When the ORG pin is connected to Vcc or left u 文件：547.72 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS93C46D-2GRI	文件：547.72 Kbytes Page：16 Pages	1-KBIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46D is a 1Kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46D contains power-efficient read/write memory, and organization of 128 bytes of 8 bits or 64 words of 16 bits. When the ORG pin is connected to Vcc or left u 文件：547.72 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS93C46D-2GRLI	文件：547.72 Kbytes Page：16 Pages	1-KBIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM DESCRIPTION The IS93C46D is a 1Kb non-volatile, ISSI ® serial EEPROM. It is fabricated using an enhanced CMOS design and process. The IS93C46D contains power-efficient read/write memory, and organization of 128 bytes of 8 bits or 64 words of 16 bits. When the ORG pin is connected to Vcc or left u 文件：547.72 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS93C46D-2PLI
功能描述：
电可擦除可编程只读存储器 1.8V 1Kb Industrial Temp
RoHS：
否
制造商：
Atmel
存储容量：
2 Kbit
组织：
256 B x 8
数据保留：
100 yr
最大时钟频率：
1000 KHz
最大工作电流：
6 uA
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8

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