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IS67WVE4M16CLL	文件：663.83 Kbytes Page：32 Pages	Asynchronous and page mode interface 文件：663.83 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS67WVE4M16EALL	文件：902.96 Kbytes Page：34 Pages	64Mb Async/Page PSRAM Features  Asynchronous and page mode interface  Dual voltage rails for optional performance ALL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95VBLL: VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6VCLL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 2.7V~3.6V  Page mode read access InterpageRead access : 60ns, 70ns IntrapageRead access : 25n 文件：902.96 Kbytes 页数：34 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS67WVE4M16EALL	文件：663.83 Kbytes Page：32 Pages	Asynchronous and page mode interface 文件：663.83 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS67WVE4M16EBLL	文件：902.96 Kbytes Page：34 Pages	64Mb Async/Page PSRAM Features  Asynchronous and page mode interface  Dual voltage rails for optional performance ALL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95VBLL: VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6VCLL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 2.7V~3.6V  Page mode read access InterpageRead access : 60ns, 70ns IntrapageRead access : 25n 文件：902.96 Kbytes 页数：34 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多IS67WVE4M16CLL供应商更新时间2026-2-3 19:18:00