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IS66WVE2M16CLL	文件：622.96 Kbytes Page：31 Pages	Asynchronous and page mode interface 文件：622.96 Kbytes 页数：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS66WVE2M16DALL	文件：505.75 Kbytes Page：28 Pages	1.8V Core Async/Page PSRAM 文件：505.75 Kbytes 页数：28 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS66WVE2M16DBLL	文件：505.7 Kbytes Page：28 Pages	3.0V Core Async/Page PSRAM 文件：505.7 Kbytes 页数：28 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS66WVE2M16EALL	文件：708.81 Kbytes Page：33 Pages	32Mb Async/Page PSRAM Features ⚫ Asynchronous and page mode interface ⚫ Dual voltage rails for optional performance  ALL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 1.7V~1.95V  BLL: VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V  CLL: VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 2.7V~3.6V ⚫ Page mode read access  Interpage Read access : 60ns, 70ns  Intrapage Read acce 文件：708.81 Kbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS66WVE2M16CLL供应商更新时间2026-2-1 10:30:00