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IS66WVE1M16BLL-70BLI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IS66WVE1M16BLL-70BLI |
参数属性 | IS66WVE1M16BLL-70BLI 封装/外壳为48-TFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
功能描述 | 3.0V Core Async/Page PSRAM |
文件大小 |
589.81 Kbytes |
页面数量 |
30 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-10-31 22:30:00 |
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IS66WVE1M16BLL-70BLI属于集成电路(IC) > 存储器。北京矽成半导体有限公司制造生产的IS66WVE1M16BLL-70BLI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
IS66WVE1M16BLL-70BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
PSRAM
- 技术:
PSRAM(伪 SRAM)
- 存储容量:
16Mb(1M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
70ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFBGA
- 供应商器件封装:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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