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IS66WV1M16EBLL集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
![IS66WV1M16EBLL](https://img.114ic.com/dgk/Renders/ISSI%20(Integrated%20Silicon)%20Renders/706;48TFBGA-1.2-6x8;;48.jpg)
厂商型号 |
IS66WV1M16EBLL |
参数属性 | IS66WV1M16EBLL 封装/外壳为48-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
功能描述 | ULTRA LOW POWER PSEUDO CMOS STATIC RAM |
文件大小 |
643.96 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
中文名称 | ISSI有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-19 18:26:00 |
IS66WV1M16EBLL规格书详情
IS66WV1M16EBLL属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS66WV1M16EBLL存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
PSRAM
- 技术:
PSRAM(伪 SRAM)
- 存储容量:
16Mb(1M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
55ns
- 电压 - 供电:
2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFBGA
- 供应商器件封装:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
23+ |
TFBGA48(6x8) |
6000 |
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ISSI(美国芯成) |
23+ |
TFBGA48(6x8) |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
48-TFBGA |
6000 |
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ISSI |
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TFBGA-48(6x8) |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
23+ |
48TFBGA (6x8) |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
21+ |
48TFBGA (6x8) |
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