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IS64WV25616BLL集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS64WV25616BLL

参数属性

IS64WV25616BLL 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

功能描述

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

封装外壳

48-TFBGA

文件大小

339.65 Kbytes

页面数量

22

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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IS64WV25616BLL规格书详情

FEATURES

HIGH SPEED: (IS61/64WV25616ALL/BLL)

• High-speed access time: 8, 10, 20 ns

• Low Active Power: 85 mW (typical)

• Low Standby Power: 7 mW (typical)

CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV25616ALS/BLS)

• High-speed access time: 25, 35, 45 ns

• Low Active Power: 35 mW (typical)

• Low Standby Power: 0.6 mW (typical)

CMOS standby

• Single power supply

— Vdd 1.65V to 2.2V (IS61WV25616Axx)

— Vdd 2.4V to 3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial and Automotive temperature support

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS64WV25616BLL-10BLA3-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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