IS64WV12816DBLL-12BLA3集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS64WV12816DBLL-12BLA3
参数属性	IS64WV12816DBLL-12BLA3 封装/外壳为48-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA
功能描述	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
封装外壳	48-TFBGA
文件大小	272.47 Kbytes
页面数量	21 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-16 17:30:00
人工找货	IS64WV12816DBLL-12BLA3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IS64WV12816DBLL-12BLA3规格书详情

DESCRIPTION

TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low power consumption devices.

FEATURES

HIGH SPEED: (IS61/64WV12816DALL/DBLL)

• High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns

• Low Active Power: 135 mW (typical)

• Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV12816DALS/DBLS)

• High-speed access time: 25, 35 ns

• Low Active Power: 55 mW (typical)

• Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby

• Single power supply

— VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV12816DAxx)

— VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV12816DBxx)

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial and Automotive temperature support

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS64WV12816DBLL-12BLA3
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
2Mb（128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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