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IS63WV1288DBLL-10JLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS63WV1288DBLL-10TLI	文件：562.72 Kbytes Page：19 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS63/64WV1288DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS63/64WV1288DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：562.72 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63WV1288DBLL-10HLI	文件：562.72 Kbytes Page：19 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS63/64WV1288DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS63/64WV1288DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：562.72 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63WV1288DBLL-10JLI	文件：562.72 Kbytes Page：19 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS63/64WV1288DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS63/64WV1288DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：562.72 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS63WV1288DBLL-10JLI-TR供应商更新时间2025-11-19 10:03:00

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