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IS63WV1024BLL中文资料High Speed Low Power Asynchronous SRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS63WV1024BLL |
| 参数属性 | IS63WV1024BLL 封装/外壳为48-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
| 功能描述 | High Speed Low Power Asynchronous SRAM |
| 封装外壳 | 48-TFBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 21:13:00 |
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技术参数
- 产品编号：
IS63WV1024BLL-12BLI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
1Mb（128K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
12ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
48-TFBGA
- 供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
20+ |
SOJ32 |
11520 |
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ISSI |
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ISSI |
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原装正品 |
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