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IS62WV5128DBLL中文资料PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS62WV5128DBLL |
| 参数属性 | IS62WV5128DBLL 封装/外壳为36-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
| 功能描述 | PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM |
| 封装外壳 | 36-TFBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 23:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
IS62WV5128DBLL-45BI-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
4Mb（512K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
45ns
- 电压 - 供电：
2.3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
36-TFBGA
- 供应商器件封装：
36-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
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ISSI |
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