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IS62WV5128DBLL中文资料PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM数据手册ISSI规格书

厂商型号 |
IS62WV5128DBLL |
参数属性 | IS62WV5128DBLL 封装/外壳为36-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA |
功能描述 | PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM |
封装外壳 | 36-TFBGA |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 10:59:00 |
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技术参数
- 产品编号:
IS62WV5128DBLL-45BI-TR
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
4Mb(512K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
45ns
- 电压 - 供电:
2.3V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
36-TFBGA
- 供应商器件封装:
36-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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