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IS62WV51216BLL-55BI	文件：129.24 Kbytes Page：16 Pages	512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL are high-speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low p 文件：129.24 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS62WV51216BLL-55BI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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产品属性

产品编号：
IS62WV51216BLL-55BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-迷你型BGA（7.2x8.7）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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