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IS62WV10248EBLL-45BI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV10248EBLL-45BLI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV10248EBLL-45TI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV10248EBLL-45TLI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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