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IS62WV10248EBLL-45BLI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV10248EBLL-45BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV10248EBLL-45BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV10248EBLL-45TI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV10248EBLL-45TLI	文件：739.86 Kbytes Page：15 Pages	1Mx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (62/65WV10248EALL) – 2.2V-3.6V VDD (62/65WV10248EBLL)  Automotive temperature (-40oC to +125oC)  Lead-free availab 文件：739.86 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS62WV10248EBLL-45BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（1M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFBGA
供应商器件封装：
48-VFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

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