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IS61WV51232BLL-10BI	文件：177.52 Kbytes Page：19 Pages	512K x 32 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY 文件：177.52 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV51232BLL-10BLI	文件：257.75 Kbytes Page：19 Pages	512K x 32 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compa 文件：257.75 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS61WV51232BLL-10BI供应商更新时间2025-12-23 16:32:00