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IS61WV51216EEBLL集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61WV51216EEBLL

参数属性

IS61WV51216EEBLL 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

功能描述

512Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC

封装外壳

48-TFBGA

文件大小

871.04 Kbytes

页面数量

20

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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IS61WV51216EEBLL规格书详情

FEATURES

 High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns

 Single power supply

– 1.65V-2.2V VDD (IS61WV51216EEALL)

– 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV51216EEBLL)

 Error Detection and Correction with optional

ERR1/ERR2 output pin:

- ERR1 pin indicates 1-bit error detection and

correction.

- ERR2 pin indicates 2-bit error detection

 Package Available:

- 44-pin TSOP (Type II)

- 48-pin TSOP (Type I)

- 48-ball mini BGA (6mm x 8mm)

- 54 pin TSOP (Type II)

 Three state outputs

 Industrial and Automotive temperature support

 Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

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