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IS61WV51216EEBLL-8TLI中文资料矽成半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IS61WV51216EEBLL-8TLI

功能描述

512Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC

文件大小

871.04 Kbytes

页面数量

20

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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IS61WV51216EEBLL-8TLI规格书详情

FEATURES

 High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns

 Single power supply

– 1.65V-2.2V VDD (IS61WV51216EEALL)

– 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV51216EEBLL)

 Error Detection and Correction with optional

ERR1/ERR2 output pin:

- ERR1 pin indicates 1-bit error detection and

correction.

- ERR2 pin indicates 2-bit error detection

 Package Available:

- 44-pin TSOP (Type II)

- 48-pin TSOP (Type I)

- 48-ball mini BGA (6mm x 8mm)

- 54 pin TSOP (Type II)

 Three state outputs

 Industrial and Automotive temperature support

 Lead-free available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
24+
TFBGA90(8x13)
7350
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ISSI
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明嘉莱只做原装正品现货
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BGA
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23+
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4500
ISSI存储芯片在售
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90FBGA (8x13)
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ISSI/美国芯成半导体有限公司
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