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IS61WV51216EEBLL-10BLI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS61WV51216EEBLL-10BLI |
| 参数属性 | IS61WV51216EEBLL-10BLI 封装/外壳为48-TFBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA |
| 功能描述 | 512Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC |
| 封装外壳 | 48-TFBGA |
| 文件大小 |
871.04 Kbytes |
| 页面数量 |
20 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 23:00:00 |
| 人工找货 | IS61WV51216EEBLL-10BLI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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IS61WV51216EEBLL-10BLI规格书详情
FEATURES
High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns
Single power supply
– 1.65V-2.2V VDD (IS61WV51216EEALL)
– 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV51216EEBLL)
Error Detection and Correction with optional
ERR1/ERR2 output pin:
- ERR1 pin indicates 1-bit error detection and
correction.
- ERR2 pin indicates 2-bit error detection
Package Available:
- 44-pin TSOP (Type II)
- 48-pin TSOP (Type I)
- 48-ball mini BGA (6mm x 8mm)
- 54 pin TSOP (Type II)
Three state outputs
Industrial and Automotive temperature support
Lead-free available
产品属性
- 产品编号：
IS61WV51216EEBLL-10BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
8Mb（512K x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
10ns
- 电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
48-TFBGA
- 供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
- 描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TFBGA48(6x8) |
7350 |
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询价 | ||
ISSI |
21+ |
TFBGA-48(6x8) |
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ISSI, |
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ISSI |
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BGA48 |
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ISSI |
24+ |
BGA48 |
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ISSI |
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BGA48 |
1200 |
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询价 | ||
ISSI |
23+ |
BGA48 |
20000 |
询价 | |||
ISSI |
22+ |
48-TFBGA |
3500 |
原装正品 |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
2025+ |
TFBGA-48(6x8) |
5000 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-48(6x8) |
315000 |
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