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IS61WV3216DBLL	文件：539.92 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV3216DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV3216DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low Standby P 文件：539.92 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL-10BLI	文件：539.92 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV3216DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV3216DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low Standby P 文件：539.92 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL-10TLI	文件：539.92 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV3216DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV3216DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low Standby P 文件：539.92 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL-8BLI	文件：539.92 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV3216DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV3216DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low Standby P 文件：539.92 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL-8TLI	文件：539.92 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV3216DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV3216DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low Standby P 文件：539.92 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL/DBLS	文件：678.07 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：678.07 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLLSLASHDBLS	文件：678.07 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：678.07 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Speed Low Power Asynchronous SRAM ·Broad Solution:- x8, x16, and x32 configurations available- 5V/3.3V/1.8V VDD Power Supply- Commercial, Industrial, and Automotive Temperature (-40 °C to 125 °C) support- BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP packages available\n·ECC feature available for High Speed Asynchronous SRAMs\n·Long-term support	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV3216DBLL-10TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS61WV3216DBLL
功能描述：
静态随机存取存储器 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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