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IS61WV3216DBLL-8BLI	文件：539.92 Kbytes Page：20 Pages	32K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV3216DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV3216DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low Standby P 文件：539.92 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61WV51216BLL-10MLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA48	ISSI 矽成半导体上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	ISSI
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更多IS61WV3216DBLL-8BLI供应商更新时间2025-11-24 15:21:00