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IS61WV25632BLL-10BLI

256K x 32 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat

文件:395.32 Kbytes 页数:19 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61WV25632BLL-10BLI

Package:90-TFBGA;包装:散装托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV25632BLL-10BLI-TR

Package:90-TFBGA;包装:散装托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV51216BLL-10MLI

BGA48

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市得捷芯城科技有限公司

IS61WV51216BLL-10TLI

TSSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS61WV25632BLL-10BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    8Mb(256K x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 90TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IS61WV25632BLL-10BLI供应商 更新时间2025-12-12 14:24:00