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IS61WV25632ALL_V01

256K x 32 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat

文件:395.32 Kbytes 页数:19 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61WV51216BLL-10MLI

BGA48

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市得捷芯城科技有限公司

IS61WV51216BLL-10TLI

TSSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

IS61WV51216EDALL-20BLI

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61WV51216EDBLL-10TLI存储IC

TSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:上海世强芯半导体有限公司

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更多IS61WV25632ALL_V01供应商 更新时间2025-11-24 11:10:00