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IS61WV25616EFALL-10B2LI	文件：584.81 Kbytes Page：21 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD(IS61/64WV25616EFALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616EFBLL) • Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin indic 文件：584.81 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS61WV25616EFALL-10B2LI供应商更新时间2025-11-17 16:01:00