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IS61WV25616EDALL-20BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV25616EDALL-20TLI	文件：900.54 Kbytes Page：15 Pages	256Kx16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 20ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD  Low Standby Current:1.5mA (typical)  Fully static operation: no clock or refresh required  Data control  Three state outputs  Industrial and Automotive temperature support  Lead-free available  Error 文件：900.54 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV25616EDALL-20BLI	文件：900.54 Kbytes Page：15 Pages	256Kx16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 20ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD  Low Standby Current:1.5mA (typical)  Fully static operation: no clock or refresh required  Data control  Three state outputs  Industrial and Automotive temperature support  Lead-free available  Error 文件：900.54 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TFBGA-48(6x8)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)
IS61WV51216BLL-10MLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA48	ISSI 矽成半导体上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 2.2V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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