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IS61VPS204836B-250TQ集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61VPS204836B-250TQ

参数属性

IS61VPS204836B-250TQ 封装/外壳为100-LQFP;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP

功能描述

2M x 36, 2M x 32, 4M x 18 72 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, Single CYCLE DESELECT STATIC RAM

封装外壳

100-LQFP

文件大小

1.39163 Mbytes

页面数量

39

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-26 23:00:00

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IS61VPS204836B-250TQ规格书详情

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LPS: Vdd 3.3V (+ 5%), Vddq 3.3V/2.5V (+ 5%)

VPS: Vdd 2.5V (+ 5%), Vddq 2.5V (+ 5%)

VVPS: Vdd 1.8V (+ 5%), Vddq 1.8V (+ 5%)

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, and

165-ball PBGA packages

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61VPS204836B-250TQLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    72Mb(2M x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-LQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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