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IS61VPS204836B-250B3集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS61VPS204836B-250B3
参数属性	IS61VPS204836B-250B3 封装/外壳为165-TBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165TFBGA
功能描述	2M x 36, 2M x 32, 4M x 18 72 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, Single CYCLE DESELECT STATIC RAM
封装外壳	165-TBGA
文件大小	1.39163 Mbytes
页面数量	39 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-26 16:30:00
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IS61VPS204836B-250B3规格书详情

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LPS: Vdd 3.3V (+ 5%), Vddq 3.3V/2.5V (+ 5%)

VPS: Vdd 2.5V (+ 5%), Vddq 2.5V (+ 5%)

VVPS: Vdd 1.8V (+ 5%), Vddq 1.8V (+ 5%)

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, and

165-ball PBGA packages

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS61VPS204836B-250B3LI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
72Mb（2M x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-TFBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165TFBGA

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