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IS61VF25618EC-7.5B2I	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61VF25618EC-7.5B2L	文件：2.40485 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control and Global Write • Clock controlled, registered address, data and control • Burst sequence control using MODE input • Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining • Common data inputs an 文件：2.40485 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61VF25618EC-7.5B2LI	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS61VF25618EC-7.5B2I供应商更新时间2026-10-7 8:50:00