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IS61QDB21M36-250M3集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS61QDB21M36-250M3
厂商型号

IS61QDB21M36-250M3

参数属性

IS61QDB21M36-250M3 封装/外壳为165-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

功能描述

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs

封装外壳

165-LBGA

文件大小

503.76 Kbytes

页面数量

27

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 13:02:00

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产品属性

  • 产品编号:

    IS61QDB21M36-250M3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QUAD

  • 存储容量:

    36Mb(1M x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-LFBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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