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IS61NVP51236-200B3-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：165-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
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包装：卷带（TR）封装/外壳：165-TBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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产品属性

产品编号：
IS61NVP51236-200B3-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
18Mb（512K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-TFBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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