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IS61QDB22M18-250M3

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs

文件:503.76 Kbytes 页数:27 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61QDB22M18-250M3

Package:165-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61QDB22M18-250M3L

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs

文件:503.76 Kbytes 页数:27 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61QDB22M18-250M3L

Package:165-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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产品属性

  • 产品编号:

    IS61QDB22M18-250M3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QUAD

  • 存储容量:

    36Mb(2M x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-LFBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

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