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IS61NLP25636B中文资料Synchronous SRAM数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS61NLP25636B

参数属性

IS61NLP25636B 封装/外壳为165-TBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

功能描述

Synchronous SRAM

封装外壳

165-TBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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IS61NLP25636B规格书详情

描述 Description

·4Mb, 9Mb, 18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available
·x18, x36, and x72 configurations available
·Pipeline, Flow-Through, and No-Wait State (ZBT equivalent)
·Commercial, Industrial, and Automotive Temperature support
·ECC feature available for 4Mb product
·250MHz speed for Pipeline
·6.5ns access time for Flow-Through

技术参数

  • 产品编号:

    IS61NLP25636B-200B3LI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-TFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

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