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IS61LV2568L-8T集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS61LV2568L-8T |
| 参数属性 | IS61LV2568L-8T 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 封装外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 文件大小 |
75.09 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 20:19:00 |
| 人工找货 | IS61LV2568L-8T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IS61LV2568L-8T规格书详情
DESCRIPTION
The ISSI IS61LV2568L is a very high-speed, low power, 262,144-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV2568L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low power consumption devices.
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down to 36mW (max.) with CMOS input levels.
The IS61LV2568L operates from a single 3.3V power supply and all inputs are TTL-compatible.
The IS61LV2568L is available in 36-pin 400-mil SOJ and 44-pin TSOP (Type II) packages.
FEATURES
• High-speed access time: 8, 10 ns
• Operating Current: 50mA (typ.)
• Standby Current: 700µA (typ.)
• Multiple center power and ground pins for greater noise immunity
• Easy memory expansion with CE and OE options
• CE power-down
• TTL compatible inputs and outputs
• Single 3.3V power supply
• Packages available:
– 36-pin 400-mil SOJ
– 44-pin TSOP (Type II)
• Lead-free available
产品属性
- 产品编号：
IS61LV2568L-8TL-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
2Mb（256K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
8ns
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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