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IS61LV2568L-10T	文件：75.09 Kbytes Page：14 Pages	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61LV2568L is a very high-speed, low power, 262,144-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV2568L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low po 文件：75.09 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LV2568L-10T	文件：242.4 Kbytes Page：14 Pages	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：242.4 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LV2568L-10TL	文件：75.09 Kbytes Page：14 Pages	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61LV2568L is a very high-speed, low power, 262,144-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV2568L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low po 文件：75.09 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LV2568L-10TL	文件：242.4 Kbytes Page：14 Pages	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：242.4 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LV2568L-10TL-TR	文件：242.4 Kbytes Page：14 Pages	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：242.4 Kbytes 页数：14 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IS61LV2568L-10T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV2568L-10TL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV2568L-10T-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

产品编号：
IS61LV2568L-10T
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
2Mb（256K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

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