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IS61LF51218B-6.5TQI中文资料矽成半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IS61LF51218B-6.5TQI

功能描述

256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

文件大小

830.68 Kbytes

页面数量

33

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-17 13:39:00

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IS61LF51218B-6.5TQI规格书详情

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for BGA package

• Power Supply

LF: Vdd 3.3V (+ 5%), Vddq 3.3V/2.5V (+ 5%)

VF: Vdd 2.5V (+ 5%), Vddq 2.5V (+ 5%)

VVF: Vdd 1.8V (+ 5%), Vddq 1.8V (+ 5%)

• JEDEC 100-Pin QFP, 119-pin BGA, and 165-pin

BGA packages

• Lead-free available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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