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IS61LF51218A-7.5TQI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS61LF51218A-7.5TQI |
| 参数属性 | IS61LF51218A-7.5TQI 封装/外壳为100-LQFP；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM |
| 封装外壳 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
206.94 Kbytes |
| 页面数量 |
32 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 22:59:00 |
| 人工找货 | IS61LF51218A-7.5TQI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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IS61LF51218A-7.5TQI规格书详情
DESCRIPTION
The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications.
FEATURES
• Internal self-timed write cycle
• Individual Byte Write Control and Global Write
• Clock controlled, registered address, data and control
• Burst sequence control using MODE input
• Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining
• Common data inputs and data outputs
• Auto Power-down during deselect
• Single cycle deselect
• Snooze MODE for reduced-power standby
• JTAG Boundary Scan for PBGA package
• Power Supply
LF: Vdd 3.3V + 5, Vddq 3.3V/2.5V + 5
VF: Vdd 2.5V + 5, Vddq 2.5V + 5
• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-pin PBGA, and 165-pin PBGA packages
• Lead-free available
• Automotive temperature available
产品属性
- 产品编号：
IS61LF51218A-7.5TQI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（512K x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
100-LQFP
- 供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TQFP100(14x20) |
7350 |
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ISSI, |
25+ |
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ISSI |
25+ |
TQFP-100 |
16000 |
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ISSI |
23+ |
TQFP100 |
5000 |
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ISSI/芯成 |
22+ |
QFP |
17700 |
原装正品 |
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ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
100-TQFP14x20 |
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ISSI |
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ISSI |
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ISSI |
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