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IS61LF51218A-7.5TQI	文件：206.94 Kbytes Page：32 Pages	256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications. FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Contr 文件：206.94 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF51218A-7.5TQI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LF51218A-7.5TQI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LF51218A-7.5TQLI	文件：206.94 Kbytes Page：32 Pages	256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications. FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Contr 文件：206.94 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61LF51218A-7.5TQI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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