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IS61DDB22M18中文资料DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM数据手册ISSI规格书
| 厂商型号 |
IS61DDB22M18 |
| 参数属性 | IS61DDB22M18 封装/外壳为165-LBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA |
| 功能描述 | DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM |
| 封装外壳 | 165-LBGA |
| 制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution, Inc |
| 中文名称 | 矽成半导体 北京矽成半导体有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 20:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
IS61DDB22M18-250M3L
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，DDR II
- 存储容量：
36Mb（2M x 18）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.71V ~ 1.89V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
165-LBGA
- 供应商器件封装：
165-LFBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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