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IS61C1024AL-12T

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

文件:107.06 Kbytes 页数:17 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C1024AL-12TI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

文件:883.2 Kbytes 页数:15 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C1024AL-12TI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

文件:107.06 Kbytes 页数:17 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C1024AL-12TLI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

文件:883.2 Kbytes 页数:15 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C1024AL-12TLI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

文件:107.06 Kbytes 页数:17 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C1024AL-12TI-TR

Package:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61C1024AL-12TLI

Package:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61C1024AL-12TLI-TR

Package:32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

  • 型号:

    IS61C1024AL-12T

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async 静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
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QFN
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原厂直接发货进口原装
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更多IS61C1024AL-12T供应商 更新时间2025-10-7 16:18:00